Quero ter um Mosfet driver IR2110 a controlar o Mosfet IRF530N mas não consigo por isto a funcionar. Estou farto de simular circuitos que encontro pela net, já li o datasheet do IR2110 de uma ponta a outra e não percebo nada.
Calculo que estejas a usar um único MOSFET como interruptor e, como é de canal N, o mais fácil é colocar a source à massa. Correcto?
Nesse caso a tua carga (que para o efeito estás a usar uma lâmpada) está entre o dreno e uma tensão positiva de alguns volts (quantos?). Correcto?
Nesse caso, para que precisas tu do IR2110? Eu tratava de aplicar directamente zero ou 5V na gate do MOSFET.
Como a tua carga te vai pedir aí uns 6A no máximo (trata de ligar o MOSFET num bom dissipador de calor) um drive de 5V na gate já está mais do que bom para o usar o MOSFET como interruptor ON/OFF (a menos que precises de frequências de switching bestiais...).
O proteus tem o mosfet que estou a usar. Foi só procurar por ele e apareceu-me logo a referência.
E o MOSFET driver? Tb tem a referência directa ou foi um "achado na net"? É que esses achados muitas vezes enfermam de terem sido modelados por malta incompetente...
Em todo o caso, eu ficava-me nas tintas para o driver e aplicava o sinal de controlo directamente à gate.
O problema tem a ver com o difusor da terminação espacial da variação termoelétrica do catalisador termostático acoplado ao conjunto de vaporização espacial tripartida entre os limites superiores das pontas de masterização externa da formação assimétrica conjunta entre os diodos electronicos e condensadores sensitivos da primeira fase do sensor externo da conjugação macro sensitiva positiva , ligada à forma final de ejecção da corrente sensorial directa do Mosfet
O problema tem a ver com o difusor da terminação espacial da variação termoelétrica do catalisador termostático acoplado ao conjunto de vaporização espacial tripartida entre os limites superiores das pontas de masterização externa da formação assimétrica conjunta entre os diodos electronicos e condensadores sensitivos da primeira fase do sensor externo da conjugação macro sensitiva positiva , ligada à forma final de ejecção da corrente sensorial directa do Mosfet
O problema tem a ver com o difusor da terminação espacial da variação termoelétrica do catalisador termostático acoplado ao conjunto de vaporização espacial tripartida entre os limites superiores das pontas de masterização externa da formação assimétrica conjunta entre os diodos electronicos e condensadores sensitivos da primeira fase do sensor externo da conjugação macro sensitiva positiva , ligada à forma final de ejecção da corrente sensorial directa do Mosfet
Em todo o caso, se quiseres põe um esquema, que isto de estar a adivinhar no ar o que estás a fazer tem pouco nexo... apesar de que eu continuaria a atacar logo a gate!
Estava a ligar directamente os 5V e o botão ao LIN. Parece que só funciona se fizer algo como 5V - res - GND e depois ir buscar o sinal para o LIN a isso.
Estava a ligar directamente os 5V e o botão ao LIN. Parece que só funciona se fizer algo como 5V - res - GND e depois ir buscar o sinal para o LIN a isso.
Obrigado ;)
Ou seja, quando largavas o botão o LIN ficava no ar, sem uma resistência de pull-down...? Pois...!
Em todo o caso, se quiseres põe um esquema, que isto de estar a adivinhar no ar o que estás a fazer tem pouco nexo... apesar de que eu continuaria a atacar logo a gate!
Compreendo. Depois, em vez de um botão, vais ter um microcontrolador ou coisa semelhante para controlo automático. A ideia do fotoacoplador é boa por causa da protecção (isolamento galvãnico).
Nota: no driver, não deixes as entradas no ar, especialmente a SD (que faz RESET às saídas). Embora no simulador não aconteça nada, na prática podes ter dissabores.
Eu faria:
HIN, SD e VS à massa, VB aos +12V.
HO é uma saída, pode ficar no ar.
O problema tem a ver com o difusor da terminação espacial da variação termoelétrica do catalisador termostático acoplado ao conjunto de vaporização espacial tripartida entre os limites superiores das pontas de masterização externa da formação assimétrica conjunta entre os diodos electronicos e condensadores sensitivos da primeira fase do sensor externo da conjugação macro sensitiva positiva , ligada à forma final de ejecção da corrente sensorial directa do Mosfet
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